Самсунг изготовит полупроводники с транзистором 10 нм

Переход на 10 нм означает сильный прирост в производительности и снижение энергопотребления приблизительно на 40% в сравнении с предшествующим 14-нанометровым техпроцессом. Кроме производства нового Snapdragon 830, Самсунг установит производимый ей процессор Qualcomm в собственный новый смартфон семейства Galaxy S, выход которого ожидается в будущем году.

Южнокорейская Самсунг объявила о запуске серийного производства однокристальных систем по 10-нанометровой технологии. Предполагается, что новые продукты Apple, оснащенные процессором A11, появятся в продаже во 2-ой половине 2017 года.

Компания Самсунг обогнала Intel в производстве чипсетов на основе 10-нанометрового техпроцесса. Сообщение об этом появилось на сайте компании. Несмотря на то, что закон работал на протяжении полувека, многие профессионалы ожидают «смерти» закона в связи с возрастающей трудностью производства транзисторов все наименьшего размера.

Ранее о подобных планах объявляла Intel, но выход 10-нм решений довелось отложить до конца нынешнего года. Самсунг планирует использовать технологию Fan-out Panel Level Package (FoPLP), которая даст возможность сделать транзисторы еще тоньше.

По некоторым данным, обнародованным ранее, именно корейский производитель должен был заниматься разработкой новых чипов Snapdragon 830.

Транзисторы используют структуру FinFET. Обе, как ожидается, отыщут применение в следующем телефоне Самсунг семейства Galaxy S, которых, должен выйти в 2-х версиях в середине зимы 2016 года.