IBM уместила 30 млрд транзисторов в чип размером с ноготь

Организациям IBM, Globalfoundries и Самсунг, входящим в объединение Research Alliance, при помощи поставщиков оборудования удалось создать 1-ый в области техпроцесс для изготовления транзисторов с нанослоями кремния. Над проектом трудились также профессионалы из Самсунг и GlobalFoundries. Ранее, осенью позапрошлого 2015 года, IBM объявляла о создании чипов по 7 нм техпроцессу, на которых размещено до 20 млрд транзисторов. Новый процессор отлично подойдет для любого оборудования, начиная от мини-компьютеров и телефонов и заканчивая космическими станциями.

В компании отмечают, что не менее высокая плотность размещения транзисторов в микросхеме увеличивает скорость прохождения сигнала между ними. В сравнении с доступными на рынке чипами в 10 нм новые чипы могут дать на 40% большую работоспособность и на три четверти наименьший расход энергии. Чтобы сделать 5-нанометровые чипы, компания откажется от обычной архитектуры построения чипов FinFET, используемой сейчас, в пользу свежей структуры, которая будет строиться из {4} по 4 наносети, разрешая упаковать около 30 млрд. транзисторов на чип размером с ноготь.

Понятно, что кроме увеличения количества транзисторов, возросло и их качество. Напомним, что нынешняя технология FinFET на текущий момент применяется в 7-нм чипах, а в первый раз объявилась в 22 и 14-нм.