Самсунг будет оснащать свои мобильные телефоны встроенной памятью на 512 ГБ

Самсунг объявила о начале массового производства первого в области 512-гигабайтного (ГБ) встроенного универсального флэш-накопителя (eUFS) для применения в мобильных устройствах обновленного поколения.

Производитель отмечает, что новые модули флэш-памяти по размерам чипа безусловно идентичны предшественникам емкостью 256 ГБ (в них использовали микросхемы 48-слойной флэш-памяти плотностью 256 Гбит), выпущенным в 2016 г. Увеличившийся объем памяти eUFS обеспечит намного больше возможностей при использовании мобильных устройств.

Инженеры Самсунг смогли расположить до 8-ми 64-слойных чипов памяти V-NAND общим объемом 512 ГБ вместе с контроллером памяти в корпусе, по размерам соответствующем 256 ГБ eUFS.

Объема в 512 ГБ хватит приблизительно на 130 роликов в 4K-разрешении длительностью в 10 минут.

Чтобы максимально поднять показатели производительности и энергоэффективности новоиспеченной памяти 512 ГБ eUFS, компания Самсунг внедрила новый набор собственных технологий. Кроме того, чип контроллера ускоряет процесс сопоставления, преобразуя адреса логических блоков в адреса физических блоков.

512 Гб UFS состоит из восьми 64-слойных чипов и вдвое превосходит показатели прототипа на 256 Гб.

Считанные мин. назад компания Самсунг официально анонсировала новейшую флеш-память для портативной электроники. При использовании карт памяти microSD это время возрастет в 8 раз. Нынешние автомобили оснащаются разнообразными датчиками, записывающими большие объёмы данных, поэтому Самсунг уже активно поставляет микросхемы памяти предшествующего поколения для автомобильной области, тогда как новейшую флеш-память на 512 ГБ должны получить флагманские мобильные телефоны будущего года.