Однако компания Самсунг хочет поменять это, так как она начала массовое производство eUFS-хранилища на 512 ГБ. Самсунг удалось вдвое увеличить плотность хранения хранения информации в сравнении с решениями на 256 ГБ. Благодаря применению 64-слойных 512-гигабитных чипов V-NAND Самсунг, новый пакет 512 ГБ eUFS обеспечивает большой объем памяти и высокую работоспособность для новых телефонов и планшетов топ-класса.
Новая Самсунг 512GB eUFS является лучшей встроенной памятью для премиум-смартфонов следующего поколения.
Компания отмечает, что размер чипа свежей памяти фактически не отличается от eUFS на 256 Гб. Это приблизительно в 400 раз скорее скорости в 100 IOPS у обыденных карт microSD.
В модулях применяется 64-слойная технология вертикальной компоновки V-NAND. Даже после установки ОС на 512-гигабайтный накопитель способен вместить порядка 130 роликов в 4K-разрешении и длительностью около 10 мин. каждый. Это в 10 раз больше, чем может хранить смартфон с 64 ГБ встроенной памяти.
Самсунг планирует наращивать темпы выпуска новейшей 64-слойной флэш-памяти V-NAND плотностью 512 Гбит в условиях расширения производства микросхем прошедшего поколения плотностью 256 Гбит.
Память 512 ГБ eUFS от Самсунг также отличается высокой скоростью чтения и записи.
![\"В](\"https://evmenov37.ru/wp-content/uploads/2017/12/95.jpg\" "\\"В")
В нашем Telegram‑канале, вы найдёте новости о непознанном, НЛО, мистике, научных открытиях, неизвестных исторических фактах. Подписывайтесь, чтобы ничего не пропустить.
Поделитесь:
Оставьте Комментарий