Самсунг и Qualcomm займутся разработкой процессора Snapdragon 835 по техпроцессу 10-нм FinFET

Нынешние реалии таковы, что невзирая на избыточную работоспособность актуальных однокристальных систем для телефонов, производителям приходится выпускать всё новые и новые решения. Так что, согласно тенденциям, Qualcomm пора выводить новое решение. Qualcomm не раскрыла все карты, рассказав о новоиспеченной SoC совсем немного. Производиться она будет по 10-нанометровой технологии FinFET.

Компания Самсунг Electronics проинформировала о расширении сотрудничества с Qualcomm Technologies в области микроэлектронного производства. Snapdragon 835 будет создан на основе разработанного Самсунг техпроцесса в 10 нанометров, что даст возможность добиться существенного уменьшения размеров чипа и поднять работоспособность.

Производство микросхем запущено уже сейчас; нам известны все детали о новом чипсете, однако рассказывать их мы не можем до 3 января — тогда на TelecomDaily выйдет серия материалов о новых Snapdragon 835. Если сравнивать QSD835 с актуальными 14-нм решениями, то на 30% возрастет действенная площадь поверхности чипа и на 27% вырастет производительности. Как нетрудно додуматься, это будут флагманские мобильные телефоны, среди которых, очевидно, будет Самсунг Galaxy S8.