Самсунг анонсировала 8-гигабитные чипы памяти LPDDR5

Самсунг Electronics объявила о разработке первой в области 8-гигабитной памяти LPDDR5 DRAM, которая изготавливается по техпроцессу 10-нанометрового класса (от 10 до 20 нм).

Из пресс-релиза следует, что в модулях LPDDR5 гарантируется передача данных на скорости до 6400 Мбит/с, что приблизительно в полтора раза превосходит показатель более актуальных на сегодняшний день на данных момент микросхем LPDDR4X (4266 Мбит/с).

Самсунг ждет, что высокая пропускная способность этих чипов будет использоваться для устройств с AI и телефонов с поддержкой 5G.

10-нм LPDDR5 DRAM модули памяти станут доступны в 2 вариантах: со скоростью передачи данных 6400 Мбит/с при рабочем напряжении 1,1 В и 5500 Мбит/с при 1,05 В, что делает их, по словам Самсунг, самым универсальным решением для телефонов следующего поколения и автомобильных систем.

Сообщается, что такая память может передать 14 видеороликов Full HD всего за секунду.

Для экономии энергии микросхема была запрограммирована для совместной работы с прикладным процессором и, таким образом, понижения напряжения когда это необходимо для экономии энергии. Кроме того, память настроена так, чтобы избегать перезаписи ячеек со значениями «0».

Самсунг планирует начать массовое производство линейки DRAM следующего поколения (LPDDR5, DDR5 и GDDR6) в ближайщее время, на заводах компании в Пхентхэке. Он также имеет «глудокий спящий режим», который не менее эффективен, чем «режим ожидания» на текущем LPDDR4X DRAM.

«Благодаря этим функциям, 8Gb LPDDR5 DRAM обеспечит снижение потребления энергии до 30%, максимизируя работоспособность мобильных устройств и продлевая срок работы смартфонов», — сообщается в заявлении Самсунг.

В Самсунг отмечают, что новые чипы довольно энергоэффективны.

Предполагается, что первым телефоном с памятью стандарта LPDDR5 будет Galaxy S10, чей релиз намечен на начало 2016 года.