Сибирские ученые посоветовали способ увеличить скорость флеш-накопителей в 2

Неудивительно, что на возможность использования мультиграфена (несколько слоев графена) во флэш-памяти обратили внимание в ИФП СО РАН. Принцип ее действия основан на инжекции (впрыскивании) и хранении электрического заряда в запоминающей среде (мультиграфене). Туннельный слой изготовлен из диоксида кремния, а материалом для блокирующего слоя стал высокопроницаемый диэлектрик. 1-ый изготавливается из оксида кремния, 2-ой - из высокопроницаемого диэлектрика.

Эффективность флеш-памяти зависит от работы, которая тратится на удаление электрона из вещества. А мультиграфен как раз характеризуется большой работой выхода для электронов, объясняют ученые. Кроме того мультиграфен дольше сохраняет записанную на него путем впрыскивания электрического разряда информацию.

О масштабном производстве флеш-памяти на основе мультиграфена сибирские физики пока не думают. Для таких устройств нужен тонкий туннельный слой, который увеличивает быстродействие в два-три раза.

Профессионалы из новосибирского Института физики полупроводников им. А. В. Ржанова сделали непонятное изобретение — самую быструю в мире флешку.

— Чтобы после 10-ти лет информацию во флеш-памяти можно было распознать, требуются довольно толстые туннельный и блокирующие слои, — поведал ученый. Флеш-накопители на его основе будет различать в течение продолжительного времени хранения информации и высокая скорость, сказал старший научный сотрудник ИФП СО РАН Юрий Новиков. По оценкам исследователей, стоить он будет около 5-ти млрд. долларов. Пока осуществляются только фундаментальные исследования.